領域介紹
有研總院是我國重要的微電子和光電子材料工程化研發基地,是國內最早開展微電子與光電子材料研究開發的單位之一。經過多年的努力,有研總院在半導體硅材料制備技術、微電子器件制程用超高純金屬(合金)靶材制造技術、微電子元器件封裝材料制備技術等領域擁有一系列工程化成套技術,自主研制出了國際一流的先進設備,技術成果已經轉化為國內最大、水平最高的生產能力。“十五”以來,該領域共獲得專利256項、國家級獎勵1項、省部級獎勵5項。建有國家半導體材料工程技術研究中心,涉及的主要研究方向包括極大規模集成電路用單晶硅材料、集成電路制程用配套工藝材料、化合物半導體材料、紅外光學材料、第三代半導體、LED配套材料等。
本領域涉及的單位有:有研半導體材料股份有限公司;先進電子材料研究所;有研光電新材料責任有限公司;北京康普錫威科技有限公有研億金新材料股份有限公司
1、集成電路用單晶硅材料
有研總院長期致力于集成電路用單晶硅材料工程化技術的研究與開發,在大直徑熱場設計與控制、大體積熔體對流控制、大直徑晶體熱應力及位錯控制、大直徑晶體雜質和電阻率均勻性控制等關鍵技術方面所取得的研究成果達到國際先進水平。在這些成果的基礎上發展了大直徑硅單晶棒制備技術、(6-12英寸)硅單晶拋光片及外延片制備技術、大直徑區熔硅單晶及拋光片制備技術、重摻硅單晶及拋光片制備技術等一系列具有自主知識產權的工程化成套技術,發展成為具有國際先進水平的硅材料工程化技術和產業技術創新基地,是中國推動極大規模集成電路產業科技創新的骨干單位之一。
2、集成電路配套工藝材料
有研總院在微電子和光電子核心市場方向上,充分利用(超)高純有色金屬制備技術、特種加工和焊接技術等綜合優勢,開展集成電路制程用(超)高純金屬(合金)靶材制造技術、蒸發鍍膜材料制備技術、微電子封裝用無鉛焊料制備技術、微電子熱管理材料及制備技術等方面的研究與開發,多項研究成果快速形成生產力,大大推動了集成電路配套工藝材料技術進步。
3、化合物半導體材料
有研總院是我國最早開展GaAs、GaP、InP等化合物半導體材料制備技術研究的單位之一,自主開發了垂直梯度凝固法(VGF)制備大直徑化合物半導體單晶等多項先進的制備技術方面,并已形成國內產能最大的生產能力。同時,積極跟蹤國際先進的化合物半導體制造技術,在VGF法制備6英寸砷化鎵單晶技術和裝備等方面在國內處于領先水平
4、紅外光學材料
有研總院是國內最早開展鍺單晶、鍺化合物、硫系玻璃、CVD硫化鋅、CVD硒化鋅等光學材料的研究單位之一,在大尺寸低位錯鍺單晶制備技術、紅外特種功能膜制備技術、極端環境用紅外材料制備技術等方面擁有多項自主知識產權,技術水平位居國內領先地位。

009期杀平特肖